SW2003即使再怎么的研究，也就只能够到65纳米制程就没有办法再提升了。
而浸没式光刻机最高工艺节点能够到45-22纳米。
也就是说，22纳米继续往下走，就只能够EUV光刻机。
提出浸没式光刻机的人，可就在星达科技。
“预计在明年的时候，能够做出原型机，想要实现量产的话，估计得要到2005年才行。”说到这个，谢逸云相当的无奈。
光刻机越往下走，难度变得越发大了起来。
申微在EUV光刻机的研制上面也遇到了极其大的困难，可ASML可宣称要在明年的时候就推出EUV光刻机。
最新接到的情报，ASML公司在研制EUV光刻机上面也遭遇到了困难，明年推出EUV光刻机显然变得不现实。
可对于申微来说，压力依旧的是相当大。
韩松林轻轻的点了点头，2005年，并非说就等不起。
接下来，自然参观了车间。
内容未完，下一页继续阅读